Aluminum nitride (AlN) với Eg = 6.2 eV đã và đang được nghiên cứu một cách rộng
rãi cho việc phát triển các thiết bị quang điện tử hoạt động ở vùng tử ngoại sâu. Do
những khó khăn trong việc chế tạo tinh thể AlN ở dạng khối, phương pháp mọc ghép
màng tinh thể AlN trên các đế như α-Al2O3 và 6H-SiC thường được áp dụng. Tuy nhiên,
sự không tương thích về hằng số mạng và nhiệt giữa màng AlN và các đế α-Al2O3 và
6H-SiC là một khó khắn lớn trong việc thu được các màng tinh thể AlN chất lượng cao.
Sự không tương thích này làm cho các màng tinh thể AlN được chế tạo trên các đế α-
Al2O3 và 6H-SiC thường có chất lượng không cao như: xuất hiện của các khuyết tật
đường (dislocation), co giãn về hằng số mạng (strain), uốn cong các mặt mạng hay sự
nghiêng của các mặt mạng. Gần đây, việc sử dụng các đế được tạo rãnh đã nâng cao
đáng kể chất lượng của các màng tinh thể AlN. Những đế được tạo rãnh như vậy không
chỉ tạo ra sự mọc tinh thể của màng theo phương ngang (ELO) mà còn tạo ra những
khoảng trống kích thước nano (nanovoid). Việc sử dụng kính hiển vi điện tử truyền qua
(TEM) đã chính minh rằng ELO và nanovoid đóng một vai trò quan trọng trong việc
nâng cao chất lượng của các màng tinh thể mọc trên các đế được tạo rãnh.
Một số báo cáo gần đây đã chỉ ra rằng các màng tinh thể mọc trên các đế được tạo
rãnh thường trải qua sự nghiêng mạng tinh thể. Nhiễu xạ tia X đã được sử dụng một
cách rộng rãi để xác định những sự nghiêng mạng như vậy. Đặc biệt nhiễu xạ tia X
vi mô đã được chính minh là công cụ hữu hiệu trong việc nghiên cứu các
tính chất tinh thể học vi mô. Nguồn gốc của sự nghiêng mạng đã được thông báo là
sự co giãn của ô đơn vị (strain) do sự không tương thích về mạng và nhiệt giữa màng
tinh thể và đế, mặc dù điều này vẫn còn đang được tranh cãi.