Thyristor còn gọi là SCR (Sillcon – Controlled – Rectifier) là loại linh kiện 4 lớp P – N đặt xen kẽ nhau. Để tiện việc phân tích các lớp bán dẫn này người ta đặt là P1, N1, P2, N2, giữa các lớp bán dẫn hình thành các chuyển tiếp lần lượt từ trên xuống dưới làJ1, J2, J3. Sơ đồ cấu trúc, ký hiệu, sơ đồ tương đương và cấu tạo của thyristor được trình bày H1 H.I.1a. H.I.1b H.I.1c H.I.1d A : Anốt K : catốt G : Cực điều khiểnJ1, J3 : Mặt tiếp giáp phát điện tíchJ2 : Mặt tiếp giáp trung gian H.I.1a : Sơ đồ ký hiệu của SCR H.I.1b : Sơ đồ cấu trúc bốn lớp của SCR H.I.1c : Sơ đồ mô tả cấu tạo của SCR H.I.1d : Sơ đồ tương đương của SCR 2. Nguyên lý làm việc của thyristor: Có thể mô phỏng một Thyristor bằng hai transistor Q1, Q2 như H.I.1d. Transistor Q 1ghép kiểu PNP, còn Q2 kiểu NPN. Gọi a1 , a2là hệ số truyền điện tích của Q 1và Q2. Khi đặt điện áp U lên hai đầu A &K của Thyristor, các mặt tiếp giáp J1& J3 chuyển dịch thuận, còn mặt tiếp giáp J2 chuyển dịch ngược ( J 2mặt tiếp giáp chung của Q1& Q2 ). Do đó dòng chảy qua J2 làIJ2IJ2= a1Ie1+ a2Ie2+ Io. I0: Là dòng điện rò qua J2 NGUYENVANBIENTBD47@GMAIL.COM Nhưng vì Q1& Q2 ghép thành một tổng thể ta có: Ie1= Ie2= IJ2= I. Do đó IJ2= I = a1I + a2I + IoSuy ra => I = Io / [1-( a1+ a2)] (1)Do J2 chuyển dịch ngược nên hạn chế dòng chảy qua nó, dẫn đến a1, a2cùng điều có giá trị nhỏ, I ˜Io , cả hai transistor ở trạng thái ngắt