Luận văn Chui ngầm ballistic và shot noisetrong các cấu trúc nano graphene
- Người chia sẻ :
- Số trang : 45 trang
- Lượt xem : 8
- Lượt tải : 500
- Tất cả luận văn được sưu tầm từ nhiều nguồn, chúng tôi không chịu trách nhiệm bản quyền nếu bạn sử dụng vào mục đích thương mại
Bạn đang xem trước 20 trang tài liệu Luận văn Chui ngầm ballistic và shot noisetrong các cấu trúc nano graphene, để xem tài liệu hoàn chỉnh bạn click vào nút DOWNLOAD LUẬN VĂN ở trên
Graphene là một vật liệu mới, ñược chếtạo thành công lần ñầu tiên bằng thực nghiệm vào năm 2004 [4]. ỞViệt Nam, hầu nhưchưa có ai nghiên cứu vềvật liệu mới này nên mọi người vẫn còn xa lạkhi nhắc tới Graphene. Trên thếgiới, trong vòng mấy năm trởlại ñây có rất nhiều nghiên cứu cảvềlý thuyết cũng nhưthực nghiệm. ðiều ñó ñược thểhiện bằng sốlượng các bài báo trên các tạp chí lớn vềVật Lý nhưApplied Physics Letters, Physical Review Letters, Physical Review, Modern Physics Tại sao các nhà khoa học trên thếgiới lại thích thú trong việc nghiên cứu Graphene? Thứnhất, Graphene có rất nhiều tính chất ñặc biệt khác biệt so với các vật liệu thông thường, trong ñó phải kểtới tính chất các electron tại các ñiểm ðirắc trong Graphene hành xửnhưnhững hạt không khối lượng mặc dù vận tốc của nó chỉvào cỡ 1/300 vận tốc ánh sáng. Chính ñiều ñặc biệt ñó kéo theo rất nhiều tính chất lý thú của Graphene và thu hút sựquan tâm của nhiều nhà khoa học trên thếgiới. Thứhai, do khả năng truyền dẫn rất tốt của Graphene (một phần do nồng ñộelectron trong ñó rất lớn 15 2 e n 4.10 cm − ≈ ) , ñặc biệt là truyền spin, các nhà khoa học ñang kì vọng rằng sẽchếtạo ñược các linh kiện ñiện tử, transitor, quantum dot bằng Graphene thay thếcho các linh kiện bán dẫn hiện nay và mởkỷnguyên công nghệmới: Kỷnguyên Cacbon thay cho kỷnguyên Silic của thếkỷ20. ðểmô tảchuyển ñộng của electron trong Graphene (thường gọi là các electron ðirac), chúng ta không thểdùng phương trình Srodinger mà phải dùng phương trình tựu ðirắc. Bằng cách giải phương trình tựu ðirắc cho hệ1 chiều, A. Calageracos và N.Dombey [5] ñã giải thích ñược nghịch lý Klein (Klei paradox). ðó là: khi tới với phương vuông góc với bờthế, electron ðirac có xác suất chui ngầm bằng 1 bất chấp ñộ cao hay bềdày của bờthếlà bao nhiêu. Cũng trong năm 2006, M.I. Katsnelson [6] ñã tính hệsốtruyền qua cho hệ1 bờthếbằng cách giải phương trình ðirắc cho hệ Graphene. Trong năm 2007, J.Miton Pereira. Js [9] ñã tính ñộdẫn (conductance) cho Hoàng Mạnh Tiến Trường Đại học khoa học Tự nhiên Luận văn tốt nghiệp Hà Nội ngày 25 tháng 5 năm 2008 3 hệ1,2 bờthếvà ông còn khảo sát sựgiam cầm của electron trong giếng thếtạo bởi Graphene (Graphehe quantum well) [8]. D.Dragoman [7] ñã vẽ ñược ñường ñặc trưng Vol-Ampe cho hệmột bờthế, từ ñó ông suy ra rằng trong Graphen, hệ1 bờthế ñã xuất hiện ñiện trởvi phân âm. Rui Zhu và Yong Guo [10] ñã nghiên cứu một cách kỹlưỡng vềhệhai bờthế ñối xứng (hệsốtruyền, conductance, shot noise, hệsốfano). Ngoài ra Chunxu Bai [11] ñã nghiên cứu hệsốtruyền trong trường hợp siêu mạng ñối xứng. Trong [13] K.B. Efetov ñã áp dụng ñiều kiên biên ñểtính ñộdẫn (conductance) cho hệ quantum dot Graphene.
