Trong những năm gần đây, những nghiên cứu về các hệvật lý bán d ẫn thấp chiều đã không ngừng phát triển và thu được nhiều thành tựu đáng kể. Trong các hệbán dẫn thấp chiều, tính chất quang của lớp vật liệu này khác với bán dẫn khối do hiệu ứng giam giữcác hạt tải điện dẫn đến phản ứng khác biệt của hệđiện tửtrong các cấu trúc lượng tửđối với các kích thích bên ngoài. Có thểnói hệbán dẫn thấp chiều là một trạng thái độc đáo của vật liệu, nó cho phép chếtạorất nhiều loại sản phẩm với những tích chất hoàn toàn mới rất cấn thiết cho những nghành công nghệ cao. Lớp vật liệu này hiện đang là đối tượng nghiên cứu của rất nhiều các công trình khoa học. Các hệbán dẫn thấp chiều là những hệcó kích thước theo mộthai hoặc cảba chiều có thểso sánh với bước sóng De Broglie của các kích thích cơ bản trong tinh thể. Trong các hệnày, các điện tử, lỗtrống hay các excitonchịu ảnh hưởng của sựgiam giữlượng tửkhi chuyển động của chúng bịgiới hạn dọc theo chiều giam giữdẫn đến các phản ứng khác biệt của điện tửso với trong bán dẫn khối. Trong các hệ chấm lượng tử thì các chấm lượng tử dựa trên hợp chất AIIBVI được nghiên cứu nhiều hơn cả. Các vật liệu bán dẫn này có vùng cấm thẳng, phổhấp thụnằm trong vùng nhìn thấy và một phần nằm trong miền tử ngoại gần, có hiệu suất phát xạlớn, do đó thích hợp với nhiều ứng dụng trong thực tế. Trong các hợp chấtAIIBVI , các chấm lượng tửCdS, CdSe thu hút được nhiều quan tâm. H ợp chất CdS (Cadmium Sunfua) là chất bán dẫn cóvùng cấm thẳng, ởdạng đơn tinh thểkhối, độrộng vùng cấm của nó là 2,482 eV tương ứng với các dịch chuyển tái hợp bức xạnằm trong vùng ánh sáng nhìn thấy[14], hiệu suất lượng tửcao, đang được nghiên cứu chếtạo chocác ứng dụng trong những ngành công nghệcao như trong các thiết bịquang tửhay công nghệđánh dấu sinh học.