Trong những năm gần đây, các tấm pin năng lượng mặt trời dần được sử dụng rộng
rãi, các tuabin năng lượng gió cũng bắt đầu được sử dụng phổ biến hơn ở các tỉnh thành
Việt Nam. Việc sử dụng các bộ nghịch lưu là rất cần thiết để tận dụng các nguồn năng
lượng sạch này nhằm phục vụ cho các nhu cầu sinh hoạt và sản xuất của mọi nhà, qua đó
sẽ giảm được đáng kể chi phí điện năng tiêu thụ về lâu dài.
Đề tài thực hiện xây dựng mô hình nghịch lưu 3 pha ba bậc hình T tăng áp điều
khiển cầu diode kẹp với khả năng chịu được sự cố mất pha ở một nhánh nghịch lưu bất
kỳ. Mô hình được thực hiện dựa trên việc sử dụng card xử lý tín hiệu số DSP
TMS320F28335 kết hợp với vi mạch FPGA để lập trình tạo ra các xung kích đóng, mở
các IGBT tạo ra điện áp xoay chiều 3 pha cấp cho tải. Phương pháp nghiên cứu chính của
đề tài dựa trên những yếu tố sau:
– Nghiên cứu lý thuyết dựa trên các bài báo khoa học đã công bố.
– Có tính kế thừa những phần cứng đã thiết kế từ các công trình nghiên cứu trước đó
của phòng thí nghiệm và từ đó tiếp tục đào sâu nghiên cứu để phát triển thêm các
tính năng mới.
– Dựa vào lý thuyết tiến hành mô phỏng bằng phần mềm và xây dựng mô hình chạy
thực tế.
– Ghi nhận kết quả từ thực nghiệm và đánh giá.
Việc mô phỏng cấu hình bộ nghịch lưu ba pha ba bậc mới đã được thực hiện trên
phần mềm Psim, và để kiểm tra lại các kết quả này thì một mô hình thử nghiệm đã được
nhóm thực hiện đề tài xây dựng tại phòng thí nghiệm. Quá trình thực nghiệm bộ nghịch
lưu cũng đã được tiến hành ở cả hai điều kiện hoạt động của mạch: điều kiện hoạt động
bình thường và trong điều kiện gặp sự cố mất pha A.
Các dạng sóng điện áp ngõ ra của bộ nghịch lưu quan sát được từ thực nghiệm có
hình dạng giống với lý thuyết mô phỏng khi hoạt động trong cả hai điều kiện bình thường
và xảy ra sự cố. Về mặt biên độ thì có sự sai lệch tương đối khi so với lý thuyết, điều này
có thể chấp nhận được vì các linh kiện ngoài thực tế không thể đạt được các trạng thái và
thông số lý tưởng như trong lý thuyết mô phỏng. Ngoài ra, nhiễu tác động đến các xung
kích cũng làm cho IGBT phát nóng làm giảm hiệu suất làm việc của linh kiện, qua đó ảnh
hưởng đến kết quả thực nghiệm