Về hiện tượng, khi thẻ tag nhận được sóng điện từ tới, thì bề mặt kim loại sẽ xuất
hiện các dòng điện cảm ứng, các dòng điện này là lớn nhất tại tần số xác định tương ứng
với phần tử cộng hưởng cụ thể. Tuy vậy, dòng điện trong một phần tử tạo ra từ trường
biến thiên xung quanh, khép kín qua các phần tử cộng hưởng bên cạnh, làm phát sinh
cường độ điện trường và dòng điện tương ứng khác trong các phần tử bên cạnh này. Các
dòng điện mới sinh ra tham gia và làm thay đổi tính chất bức xạ tín hiệu của thẻ tag theo
tần số, làm cho công suất bức xạ lớn nhất tại tần số khác với tần số của dòng điện cảm
ứng của phần tử ban đầu. Điều này làm thay đổi độ tin cậy dữ liệu tần số cộng hưởng
mà thẻ tag mã hóa. Sự ảnh hưởng này còn lớn hơn khi các phần tử đặt gần nhau trên thẻ
tag, hoặc số phần tử thay đổi để mã hóa dữ liệu tần số khác nhau, hoặc lựa chọn các tần
số mã hóa với độ chênh lệch nhỏ. Với giới hạn tần số làm việc trong băng thông UWB
thì bước sóng của tín hiệu ngắn nhất khoảng 3cm, giả sử phần tử cộng hưởng sử dụng
là dạng ăng-ten chấn tử chiều dài nửa bước sóng thì khi đó giới hạn của trường gần là
1,3cm. Do vậy, với cấu trúc mã hóa với 3 phần tử cộng hưởng trở lên thì ảnh hưởng của
hỗ cảm là rất lớn do tính chất các ăng-ten đang ở vị trí nằm trong trường gần của nhau.
Theo lý thuyết phân tích bức xạ tín hiệu điện từ của thẻ tag theo các điểm cực đã
được trình bày ở Mục 2.1, tại tần số cộng hưởng tương ứng của phần tử cộng hưởng thì
biểu thức bức xạ được tính theo biểu thức (2.29). Theo đó, ngoài thành phần bức xạ của
phần tử đó, còn có tổng các thành phần bức xạ từ các phần tử khác. Tổng các thành phần
khác đó chính là ảnh hưởng của hỗ cảm, dẫn đến thay đổi tính chất độ lớn của bức xạ
tổng theo tần số. Đây là nguyên nhân gây ra hiện tượng tần số cộng hưởng bị dịch, thậm
chí có thể không xác định được tần số cộng hưởng do độ lớn của bức xạ tổng đã bị suy
hao.