Kiểm tra sựphù hợp của SiGe BiCMOS và công nghệdưới 65nm trong các ứng dụng ngoài tầm 80 GHz. – Kiến trúc của hệthống được thảo luận sẽdựa vào sựso sánh chi tiết của VCOs, LNAs, Pas và việc tạo bộchia tần sốtĩnh bằng CMOS và SiGE BICMOS. Những kiến trúc này được sửdụng trong radar điều khiển ôtô (automotive cruise-control radar) , truyền dữliệu tần sốcao, truyền ảnh tĩnh và động trong giải tần từ80GHz đến 160 GHz. Qua thực nghiệm sẽlàm rõ các mẫu (prototype) công nghệSiGe HBT và BiCMOS có đủhiệu suất cho tất cảcác block xây dựng ở80 GHz, ngay khi nhiệt độcao khoảng 125 C. Mặc dù còn là công nghệhứa hẹn nhưng việc tồn tại của những mạch 90nm GP CMOS và 65 nm LP CMOS tại những tần sốnày vẫn duy trì thua kém bản sao SiGe một cách đáng kể.